二次电子的能量低,受局部电场的影响变化大
二次电子的能量低,受局部电场的影响变化大,如图a所示的颗粒在电子束的照射下因充了负电子而发白,在这发白的颗粒周围感应了正电荷,而感应了正电荷的区域导致二次电子的发射量减小,使颗粒周围明显变暗。由于二次电子像分辨力高、阴影效应不明显、景深深、立体感强,所以它是扫描电镜中主要的成像方式。它特别适用于观察和分析起伏较大的粗糙面,如金属、陶瓷和塑料等材料的断口,所以在材料学科中扫描电镜得到了广泛应用。
复合材料界面区的二次电子像
为了观察到复合材料界面区的二次电子像,应用某种方法将材料的界面区域暴露于试样表面。例如:
将纤维增强复合材料中的纤维拉出,暴露出纤维表面和原先与纤维相结合的基体表面,这是受到或多或少损坏的界面。
另一个常用的方法是对复合材料施力,使其沿设定的方向断裂。对脆性材料,可在常温下实施;而对韧性复合材料,可用冷冻断裂法,在液氮温度下将材料脆性断裂,暴露出包含基体、增强体和界面的区域。
还有一种方法是将暴露了界面区的端面或断裂面,在超薄切片机上用金刚石刀或玻璃刀切平。
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