二次电子像的阴影效应不明显

这些不同细节的部位发出的二次电子数各不相同，从而产生亮暗不一的衬度。由于二次电子的能量小，用 E-T探测器检测时，仅需在其前面的栅网上加几百伏的正电位，常施加的电位为+250~+300V，即通过该电位就可把试样上发射出来的大部分二次电子吸引过来，所以二次电子像的阴影效应不明显。在二次电子探测器所对应的立体角内也能接收到相应的一小部分背散射电子，所以在二次电子像中也包含了一小部分背散射电子的信息，如图b中对应的背散射电子成分像的一些衬度信息也能在图a中反映出来，只不过图a中所显现的原子序数的衬度没有像图b中那么明显而已。

二次电子的能量低,受局部电场的影响变化大

二次电子的能量低，受局部电场的影响变化大，如图a所示的颗粒在电子束的照射下因充了负电子而发白，在这发白的颗粒周围感应了正电荷，而感应了正电荷的区域导致二次电子的发射量减小，使颗粒周围明显变暗。由于二次电子像分辨力高、阴影效应不明显、景深深、立体感强，所以它是扫描电镜中主要的成像方式。它特别适用于观察和分析起伏较大的粗糙面，如金属、陶瓷和塑料等材料的断口，所以在材料学科中扫描电镜得到了广泛应用。

从电子中发射出高能电子束撞击样品表面,与原子的内层电子发生

从电子中发射出高能电子束撞击样品表面，与原子的内层电子发生非弹性散射作用时，使原子发生电离，从而使原子失去一个内层电子而变成离子，并在该电子层对应位置产生一个空穴，原子为了***到稳定态，较外层的电子就会填补到这个空穴，在填补过程中同时会产生具有特征能量的X射线，探测器接收到这些特征X射线后，经过分析处理转换得到谱图和分析数据输出。

当以背散射电子为调制信号时，由于背散射电子能量比较高，穿透能力强，可从样品中较深的区域逸出(约为有效作用深度的30%左右)。在此深度范围，入射电子已有了相当宽的侧向扩展，所以背散射电子像分辨率要比二次电子像低，一般在500～2000nm左右。

小心地施加灯丝的加热电流

直热式的钨阴极发射通过对灯丝的直接加热，把电子从钨阴极材料中激发出来。若增加灯丝的加热电流，灯丝的温度就会随之上升，发射的束流也会随之加大。当灯丝的发射束流达到其高点时，即使再加大灯丝的加热电流，其发射的束流也很难再有明显增加，而只会增加灯丝的温度，从而加速灯丝的挥发，进而导致灯丝很快烧断。也就是说操作者应该小心地施加灯丝的加热电流，以获得既大又稳定的发射束流，而灯丝的温度又能恰到好处，不至于升得太高而造成过热，这个点就叫作饱和点。