电子半导体材料是现代制造的基础

电子半导体材料是现代制造的基础，是推动集成电路产业发展创新的关键，几乎贯穿整个集成电路制造过程。电子器件在实际服役过程中，由于设计原因或器件与环境相互作用，性能或结构发生变化，可能会出现性能下降或者***，需要对失效的原理、机理进行明确并制定相应的改善措施。

扫描电镜通常使用10KV~30KV加速电压工作，可获得图像；微区成分分析也能提供可靠的定性定量结果。然而对于某些热敏或者导电性能差的样品，如：半导体和器件、合成纤维、溅射或氧化薄膜、纸张、动植物***、高分子材料等，有时不允许进行导电处理，而要求直接观察。即可选用低电压成像技术，选用1~5KV或更低的加速电压进行成像。

若需要用能谱或波谱仪来作成分分析的样品,蒸镀碳膜

若需要用能谱或波谱仪来作成分分析的样品，蒸镀碳膜。碳为超轻元素，碳膜对射线吸收小，而且增加的谱峰也仅有一个碳的K锋，对定量分析结果的影响也小。蒸碳时通常会用高真空的碳镀膜仪，需要注意的是蒸碳时对镀膜仪的真空度要求高，碳棒点燃时的温度也高，会有高温热辐射，对有机高分子和生物等不耐热的样品容易引起灼伤。所蒸的碳膜要均匀，膜厚控制在10~15 nm之间，对于凹凸起伏严重的样品，所镀的膜层应适当增加到15~20 nm。

真空镀膜法与离子溅射法相比

真空镀膜采用真空镀膜仪进行蒸镀，其原理是在高真空状态下，通过加热靶材，使之蒸发成极细小的颗粒（原子团）而挥发出来，然后通过自身的重力降落到样品的表面形成一层导电膜层，使样品表面导电。现在多数镀膜仪通常选用金、铂和金钯合金等，蒸镀金属膜的厚度约为5~10nm。同样的靶材用真空镀膜法与离子溅射法相比，真空镀膜法所形成的金属膜层的颗粒相对较粗，而且膜的均匀性较差，操作较麻烦，既费时又耗能、耗材，所以成本比较高。目前真空镀膜法已经很少使用，使用较多的是离子溅射法。