压敏电阻：它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对电压十分敏感。它的工作原理相当于多个半导体P-N的串并联。压敏电阻的特点是非线性特性好（I=CUα中的非线性系数α），通流容量大（～2KA/cm2），常态泄漏电流小（10-7～10-6A），残压低（取决于压敏电阻的工作电压和通流容量），对瞬时过电压响应时间快（～10-8s），无续流。压敏电阻的技术参数主要有：压敏电压（即开关电压）UN，参考电压Ulma；残压Ures；残压比K（K=Ures/UN）；大通流容量Imax；泄漏电流；响应时间。压敏电阻的使用条件有：压敏电压：UN≥[（√2×1.2）/0.7]U0（U0为工频电源额定电压）小参考电压：Ulma≥（1.8～2）Uac （直流条件下使用）Ulma≥（2.2～2.5）Uac（在交流条件下使用，Uac为交流工作电压）压敏电阻的大参考电压应由被保护电子设备的耐受电压来确定，应使压敏电阻的残压低于被保护电子设备的而损电压水平，即（Ulma）max≤Ub/K，上式中K为残压比，Ub为被保护设备的而损电压。



雷电放电可能发生在云层之间或云层内部，或云层对地之间；另外许多大容量电气设备的使用带来的内部浪涌，对供电系统（中国低压供电系统标准：AC 50Hz 220/380V）和用电设备的影响以及防雷和防浪涌的保护，已成为人们关注的焦点。云层与地之间的雷击放电，由一次或若干次单独的闪电组成，每次闪电都携带若干幅值很高、持续时间很短的电流。一个典型的雷电放电将包括二次或三次的闪电，每次闪电之间大约相隔二十分之一秒的时间。大多数闪电电流在10，000至100，000安培的范围之间降落，其持续时间一般小于100微秒。供电系统内部由于大容量设备和变频设备等的使用，带来日益严重的内部浪涌问题。我们将其归结为瞬态过电压（TVS）的影响。任何用电设备都存在供电电源电压的允许范围。有时即便是很窄的过电压冲击也会造成设备的电源或全部损坏。瞬态过电压（TVS）***作用就是这样。特别是对一些敏感的微电子设备，有时很小的浪涌冲击就可能造成致命的损坏。



2.4保护水平Up该值应比在SPD端子测得的大限制电压大，与设备的耐压Uw一致(1.2U p≤Uw ) ,可以从一系列的参考值中选取(如0108、0109、……1、1.2、1.5、1.8、2、……8、10KV等)。当中较好的U p有800V、900V.2.5漏电流并联型SPD要求漏电流≤30uA (部要求≤20uA ) ,串联型SPD要求漏电流≤01.mA.2.6启动电压Uas过去认为启动电压即标称压敏电压，实际上通过SPD的电流可能远大于测试电流1mA ,这时不能不考虑已经抬高的残压对设备保护的影响。从压敏电压到启动电压的时间(即SPD的响应时间)比较长，约为100ns.启动电压越高则残压也越高，越低则压敏电阻易老化。其值不应大于被保护设备的绝缘水平。2.7残压Ures是真正加在被保护设备端口的电压。残压越低越好，应小于被保护设备耐冲击过电压额定值。见表1:表1220/380V三相系统各种设备耐冲击过电压额定值Uw