利用压控振荡器来控制频率

高频压控振荡器的电压控制频率部份, 通常是用变容二极管C 与电感 L, 所接成的 LC 谐振电路。提高变容二极管的逆向偏压, 二极管内的空泛区会加大, 两导体面之距离一变长, 电容就降低了, 此 LC 电路的谐振频率, 就会被提高. 反之, 降低逆向偏压时, 二极管内的电容变大, 频率就会降低.

而低频压控振荡器则依照不同频率而选择不同的方法，例如以改变对电容的充电速率为手段来得到一个电压控制的电流源。参见波型产生器。

锁相环电路中压控振荡器的SET响应研究

空间辐射环境中的锁相环在SET作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路,也是对SET敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型,采用TCAD混合模拟的方法,针对180nm体硅CMOS工艺下高频锁相环中的压控振荡器,研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器SET响应的影响,通过分析失效机理,以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明,当器件工作在截止区时,入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子LET的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高,轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。

一种具有温度补偿效应的环形振荡器设计

介绍了一种基于O.35μm标准CMOS工艺实现的三级差分环形压控振荡器。结果表明,2.5V电源电压供电时,振荡器中心频率为315MHz,工作电流为330uA,电路功耗仅为825uW。温度范围为一30~80℃,输出频率的中心频率为295~328MHz,频率变化小于1000ppm。本设计可极大的改善由于温度引起的振荡器频率严重变化的影响,可应用于锁相环和频率综合器设计中。

压控振荡器的性能及优势

集成基波振荡器，因此器件中的任何乘法效应不会生成次谐波信号音缩短VCO频段之间的切换时间，且不会导致电压过冲低电源电流功耗（低至60mA典型值）与传统单频段宽带VCO相比，调谐电压更低，以及更窄的灵敏度频率比，从而降低环路滤波器设计的复杂性采用40引脚6x6mm LFCSP ***T封装