碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。

碳化硅的硬度仅次于金刚石，可以作为砂轮等磨具的磨料，因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光，其中金刚石砂轮磨削加工的效率较高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表面与亚表层损伤，影响加工精度。因此，深入研究SiC磨削机理与亚表面损伤对于提高SiC磨削加工效率和表面质量具有重要意义。

碳化硅砖热导率高，有良好的耐磨性、抗热震性、耐侵蚀性。因此碳化硅砖在工业范围应用很广。可用于冶金盛钢筒内衬、水口、塞头，高炉炉底及炉腹，加热炉无水冷滑轨；有色金属冶炼蒸馏器、精馏塔托盘、电解槽侧墙、熔炼金属坩埚；硅酸盐工业窑炉的棚板及隔焰材料；化学工业中油气发生器、有机废料燃烧炉；高技术陶瓷用窑具铝电解槽内衬、熔融铝导管和陶瓷窑用窑具、大中型高炉炉身下部、炉腰和炉腹、铝精炼炉炉衬、锌蒸馏罐衬等。

碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上特别硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为很常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石相似，则在低于2000 °C生成。