碳化硅可用来炼钢脱氧剂和铸铁***的改良剂，可用来做原料，是硅树脂工业的主要原料。碳化硅是一种新型的强复合剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，和原工艺相比更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时间缩短，提高炼钢效率，提高钢的质量，降低原辅材料的消耗，减少环境的污染，提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。 碳化硅质量的影响因素，还有就是在制作时成型压力的不同，在进行制作的时候如果是其他的因素相同的情况下，同成型压力对粘土质碳化硅制品质量的影响还是非常大的。碳化硅质量的影响因素是有很大的不同的，自然在应用领域上也有差异，在进行购买时也要根据自己的需求进行购买，并且也要选择靠谱的厂家。

碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片，制作芯片的材料按照历史进程分为：一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅），二代化合物半导体材料（、磷化铟），第三代化合物半导体材料（碳化硅、氮化） 。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来较被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。

碳化硅的硬度仅次于金刚石，可以作为砂轮等磨具的磨料，因此对其进行机械加工主要是利用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光，其中金刚石砂轮磨削加工的效率较高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不仅具有高硬度的特点，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层，且产生较为严重的表面与亚表层损伤，影响加工精度。因此，深入研究SiC磨削机理与亚表面损伤对于提高SiC磨削加工效率和表面质量具有重要意义。