杂质捕获仪

技术参数

1、工作电源： AC 220V±10%，50Hz。2、水浴加热功率： 1000W。3、水浴控温范围： 室温～90℃内可调。4、水浴温度显示： LED数字显示。5、水浴控温精度： ±1℃。6、漏斗控温范围： 室温～90℃内可调。7、漏斗控温显示： LED数字显示。8、漏斗控温精度： ±2℃。9、外形尺寸： 控制箱 390(长)×260(宽)×590(高)；水浴箱 90(长)×290(宽)×370(高)。10、环境温度： ≤35℃。11、相对湿度： ≤85%。12、整机功耗： 不大于1200W。

结构及工作原理:探测仪由控制器和探头两部分组成,1.振荡器2.探头3.补偿电路4.选频放大器5.检波器6.源输出器7.调~50~制型直流放大器8.运算放大器9.单稳态触发器10.输出设备n.稳压电源。基本原理采用平衡式方法,即探头由三根铜管构成三个单匝园型或方形线圈,中间的主付圈为发射线圈,两侧的付线圈为接收线圈。

电子气体中金属杂质的捕集

电子工业用气体统称电子气体，指在半导体及其它电子产品生产过程中所用到的高纯度气体，是微纳电子制造***安全战略产业的关键支撑材料，其广泛应用于大规模集成电路、液晶显示器、多晶硅和薄膜太阳能电池、新型电光源、光电半导体器件以及光纤通讯器件等电子行业 [1] [2] [3]。表1为一些电子工业生产中所常用到的高纯气体 [3]。

近年来，随着微纳电子***制程向大尺寸、窄线宽、高集成度、高均匀性和高完整性发展，对电子气体的纯度和一致性要求越来越高，除了应具有5 N (99.999%)以上纯度，还要求电子气体中的H2O、气体杂质(如O2、CO2、CO、CH4等)和金属杂质(如Al、Cr、Cd、Cu等)的指标达到ppb (10?9)至ppt (10?12)数量级，气体的品质要求高度稳定且一致。电子气体的纯度对于半导体器件的质量与成品率影响很大，尤其是气体中的金属杂质，是使半导体产生漏电、晶格缺陷和断线的主要原因

杂志捕获仪溶液吸收法

稀碱溶液(0.1 mol/L氢氧化铵)作为吸收液，然后在吸收液中加入，加热时形成挥发的四去除硅基体；采用1%和1%氢氧化铵混合液作为烷和磷烷的吸收液，然后在烷吸收液中加入浓盐酸，加热形成挥发的三氯化除去基体；而对于磷烷吸收液则采用强碱性阴离子树脂静态分离去除磷基体。取样系统如图2所示，与图1取样系统不同的是，烷类气体取样前先用惰性气体清洗系统十分钟，且取样完毕后再用惰性气体清洗以确保安全。