当前,随着半导体技术不断缩进,***的集成电路器件已从平面向三维结构转变,集成电路制造工艺正变得越来越复杂,往往需要经过几百甚至上千道的工艺步骤。对于***的半导体器件制造,每经过一道工艺,硅片表面都会或多或少地存在颗粒污染物、金属残留或有机物残留等,器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性,使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。对硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求,其关键点在于克服污染微颗粒与基材之间极大的吸附力,传统的化学清洗、机械清洗、超声清洗方法均无法满足需求,而激光清洗可以很容易解决此类污染问题。
另外,随着集成电路器件尺寸持续缩小,清洗工艺过程中的材料损失和表面粗糙度成为必须关注的问题,将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是基本的要求,激光清洗技术具有非接触性、无热效应,不会对被清洗物体产生表面损坏,且不会产生二次污染等传统清洗方法所无法比拟的优势,是解决半导体器件污染的清洗方法。
随着科学技术的不断发展,轮胎模具清洗技术不断在更新。早的方法是使用高温碱水对轮胎模具进行浸泡,这对小型的模具来说用处很大,但是对于大型的模具来说并不适用。
喷砂法
后来人们发明了喷砂法,喷砂法所用的原料一般有砂子、玻璃珠等,但所有的喷砂清洗模具技术都存在损伤模具表面、减少模具使用寿命的问题,因此并不适合使用。近几年,行业里先后出现了化学清洁剂清洗、干冰清洗等技术,但是这些方法都不能从根本上解决清洗轮胎模具的问题,从行业发展的角度来看还需要开发出更加环保、有效和省成本的清洗技术。
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