当前,随着半导体技术不断缩进,***的集成电路器件已从平面向三维结构转变,集成电路制造工艺正变得越来越复杂,往往需要经过几百甚至上千道的工艺步骤。对于***的半导体器件制造,每经过一道工艺,硅片表面都会或多或少地存在颗粒污染物、金属残留或有机物残留等,器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性,使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。对硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求,其关键点在于克服污染微颗粒与基材之间极大的吸附力,传统的化学清洗、机械清洗、超声清洗方法均无法满足需求,而激光清洗可以很容易解决此类污染问题。
另外,随着集成电路器件尺寸持续缩小,清洗工艺过程中的材料损失和表面粗糙度成为必须关注的问题,将微粒去除而又没有材料损失和图形损伤是基本的要求,激光清洗技术具有非接触性、无热效应,不会对被清洗物体产生表面损坏,且不会产生二次污染等传统清洗方法所无法比拟的优势,是解决半导体器件污染的清洗方法。
激光清洗技术的国外发展现状
激光清洗技术研究起步于20世纪80年代中期,但直到20世纪90年代初期才真正步入工业生产中,在许多场合逐步取代传统清洗方法。
国外激光清洗的去污范围非常广泛,从厚锈层到激光表面微细颗粒都可以去除,在去污中涉及激光清洗实验所使用的设备种类也比较多,所用激光器的波长范围广,但激光清洗技术的发展不平衡,有些已实现工业化,有的还处于实验室阶段。
例如国外在激光模具的清洗方面,已经发展到1000 W激光手动清洗机;
电子线路清洗采用248 nm激光,3 W,20 ns,已经工业化;
在芯片领域,采用248 nm,5 W纳秒紫外清洗,效果非常好;
在光掩膜,采用紫外激光,已经完全取代传统化学方法;
在激光除锈、激光除污染物方面,已经规模化应用,而且实验先于理论。另外在半导体领域、磁头和绝缘体领域已经开始实验验证。
版权所有©2024 产品网