1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。



碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85%）是的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。



虽然在异相触媒担体的应用上，因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目，而另一种碳化硅，μ-碳化硅为稳定，且碰撞时有较为悦耳的声音，但直至今日，这两种型态尚未有商业上之应用。因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度（约2700 °C） [1]  ，碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下，它都不会熔化，且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高电流密度，在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅[1]。此外，它与微波辐射有很强的耦合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。



中国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属。中国碳化硅与世界***水平的差距主要集中在四个方面：一是在生产过程中很少使用大型机械设备，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅产量较低；二是在碳化硅深加工产品上，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细，产品质量的稳定性不够。