碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大家常说的艾奇逊炉，一直沿用至今，以碳质材料为炉芯体的电阻炉，通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。关于碳化硅的几个事件1905年 次在陨石中发现碳化硅。1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。



1955年 理论和技术上重大突破，LELY提出生长碳化概念，从此将SiC作为重要的电子材料。1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。



结晶体较小、很脆弱，不能作为磨料）、一级品SiC（(SiC含量<96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大结晶体）、炉芯体石墨。在上述各层料中，通常将未反应料和一部分氧碳化硅层料作为乏料收集，将氧碳化硅层的另一部分料与无定形物、二级品、部分粘结物一起收集为回炉料，而一些粘结很紧、块度大、杂质多的粘结物则抛弃之。而一级品则经过分级、粗碎、细碎、化学处理、干燥与筛分、磁选后就成为各种粒度的黑色或绿色的SiC颗粒。要制成碳化硅微粉还要经过水选过程；要做成碳化硅制品还要经过成型与结烧的过程。