我国压力传感器行业的现状

企业技术研发投入普遍不足，由于我国压力传感器产业内的企业几乎全部是中、小型企业；人力、财力方面都不能支持足够的、长期的技术创新投入。因此，在产品研发投入上略显不足。目前，从压力传感器产业范围来看，平均产品研发投入占销售额的10%，而我国仅占3%。由此带来的影响就是产品的可靠性较差；对基础技术和制造工艺的研究不够，一些影响可靠性的关键技术，如精密加工技术、密封技术、焊接技术等至今还没有得到很好了解，这是导致产品，特别是产品的性能不够稳定和可靠的主要原因。现有国内产品的可靠性指标与国外产品相比，大致要相差1－2个数量级。

压力传感器的特点溅射薄膜

压力传感器的特点

溅射薄膜压力传感器：突出特点是受温度影响小，在温度变化100℃时，零点漂移仅为0.5%，其温度性能远优于扩散硅，能够在恶劣环境条件下使用等特点。

应变式压力传感器：应用为广泛的是应变式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高、横向效应小等优点。

陶瓷压阻压力传感器：具有测量的高精度、高稳定性。电器绝缘程度大于2KV，输出信号强，长期稳定性好。，微量程和大量程不做选择，只适用于表压测量。

压力传感器如何抗干扰

压力传感器在工作时，经常会遇到各种干扰，导致压力传感器不能准确测量。压力传感器信号传输过程中干扰的形成必须具备三项因素，即干扰源、干扰途径以及对噪声敏***较高的接收电路。因此消除或减弱噪声干扰的方法可以针对这三项中的其中任意一项采取措施。在压力传感器检测电路中比较常用的方法，是对干扰途径及接收电路采取相应的措施以消除或减弱噪声干扰

利用金属材料制成容器将需要保护的电路包在其中，可以有效防止电场或磁场的干扰，此种技术称为屏蔽技术。屏蔽又可分为静电屏蔽、电磁屏蔽和低频磁屏蔽等。这也是压力传感器为什么常采用金属外壳的重要原因。

霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的

霍尔压力传感器

　　霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。

　　在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

　　当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。