大多数压力传感器的静态特性与环境温度有着密切的联系。实际工作中由于传感器的工作环境温度变化较大．又由于温度变化引起的热输出也较大,这将会带来较大的测量误差；继而影响到压力传感器的静态特性，所以设计中必须采取措施以减少或消除温度变化带来的测量影响。

压力传感器是把压力的变化转换成电阻值的变化来进行测量的，通常压力传感器输出的微小信号需通过后续的放大器进行放大，再传输给处理电路才能进行压力的检测。其阻值随压力的变化而变化。在传感器的应用中，为使传感器的技术指标及性能不受温度变化影响而采取一系列具体技术措施。称为温度补偿技术。一般传感器都在标准温度(20±5)℃下标定，但其工作环境温度也可能由零下几十摄氏度升到零上几十摄氏度。传感器由多个环节组成。尤其是金属材料和半导体材料制成的敏感元件，其静特性与温度有着密切的关系。信号调理电路的电阻、电容等元件特性基本不随温度变化。所以必须采取有效措施以抵消或减弱温度变化对传感器特性造成的影响。即必须进行压力传感器的温度补偿。

电磁压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的

电磁压力传感器

压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。

　　在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。

　　当磁场为一交变磁场时，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。

压力传感器如何抗干扰

压力传感器在工作时，经常会遇到各种干扰，导致压力传感器不能准确测量。压力传感器信号传输过程中干扰的形成必须具备三项因素，即干扰源、干扰途径以及对噪声敏***较高的接收电路。因此消除或减弱噪声干扰的方法可以针对这三项中的其中任意一项采取措施。在压力传感器检测电路中比较常用的方法，是对干扰途径及接收电路采取相应的措施以消除或减弱噪声干扰

利用金属材料制成容器将需要保护的电路包在其中，可以有效防止电场或磁场的干扰，此种技术称为屏蔽技术。屏蔽又可分为静电屏蔽、电磁屏蔽和低频磁屏蔽等。这也是压力传感器为什么常采用金属外壳的重要原因。

高温大压力传感器研究现状

一般地，当压力范围在10～100 MPa之间时，称之为大压力，大于100 MPa的压力为超大压力。高温压力传感器是指在高于125℃环境下能正常工作的压力传感器[1]。

近年来，随着MEMS技术的发展，微机械压力传感器由于其具有体积小、功耗低、成本低等优势，而得到了广泛的应用[1,2]。然而，该类传感器在超过120℃环境下使用时，会由于内部PN结出现漏电而导致传感器性能急剧下降，进而导致失效[3,4,5,6]。因此，如何把MEMS技术的优势和现有的技术相结合，通过改进工艺、选择新型的耐高温材料，进而克服MEMS传感器的上述缺点，成为目前国内外研究的重中之重。该研究目前也取得了巨大进展，多种类型材料组合形成的新型敏感元件纷纷问世。