半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个独特的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on）+tr

其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量：0。