变频器用IGBT测试仪加工厂家直供「华科智源」
作者:华科智源2022/3/15 9:12:01

如何执行导通参数与漏电流的量测?

?测试条件中待输入的数字,必须依照元件生产厂所提供的规格来输入,而测量结果,亦必须在其所规定的限额内,否则,便为不良品。

大功率I g b t模块测试系统简介

我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:

☆可单机***操作,测试范围达2000V及50A。

☆外接大电流扩展装置,检测范围可扩展1600A。


3、系统基本参数

3.1 电 压 源:220VAC ±10% ,50Hz/60Hz 20A RMS;

3.2 加热功能:室温~150℃;

3.3 测试功能:可测试IGBT模块及FRD;

3.4 环境温度:25℃±15℃;

3.5 环境湿度:50% ±20% (相对湿度)

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc: 50 ~ 1000V;

4.2 集电极电流 Ic: 50 ~ 1000A ***负载;

4.3 电流持续时间 It: 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间; 4.4 脉 冲 模 式: 单脉冲和双脉冲;

4.5 单电流脉冲的设置: Vcc,Ic, 电感值(自动计算脉宽);

4.6 双电流脉冲的设置: Vcc, Ic, 电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算);

(开启Qrr测试:第二个脉宽=间隙时间,10~50us);

4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH(***动态测试)。


2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~+15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求


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