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作者:华科智源2022/3/7 8:07:21

(3)设备的功能特点 1)各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。1V Vce: 12V 集电极电流ICE: 30mA±3% 7)二极管压降测试 VF: 0-5V±2%±0。 2)具有大容量的数据采集能力。测试数据直接进入控制电脑,这样使得采集数据的容量为无限大。 3)具有内置的软件,帮助提供自动判断。 4)具有方便的历史数据存储及检索功能。


目的和用途 该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。可移动型仪器,使用方便,测试简单快速,立即提供测试结果与数值。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数: 1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns 4、开通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon:10W~250kW


其中:Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管) L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 关断时间采用单脉冲测试,由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,开关被测器件DUT一次,被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和,同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE,记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。C:脉冲宽度50uS~300uS D:Vce测量精度2mV E:Vce测量范围>。


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