（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V 1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集电极电压VCE： 0V 栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集电极-发射极电压 集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压Vge： 0V 4）集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat：0.2-5V 栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集电极-发射极截止电流ICES 集电极电压VCE： 100-5000V±3% 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压VGE： 0V 6）栅极-发射极阈值电压 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集电极电流ICE： 30mA±3% 7）二极管压降测试 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，。 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB 13869-2008 用电安全导则 GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范 GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件 GB/T 2423 电工电子产品环境试验 GB/T 3797-2005 电气控制设备 GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用 GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则 GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制 GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

表格12动态参数测试部分组成

序号 组成部分 单位 数量

1 可调充电电源 套 1

2 直流电容器 个 8

3 动态测试负载电感 套 1

4 安全工作区测试负载电感 套 1

5 补充充电回路限流电感L 个 1

6 短路保护放电回路 套 1

7 正常放电回路 套 1

8 高压大功率开关 个 5

9 尖峰***电容 个 1

10 主回路正向导通晶闸管 个 2

11 动态测试续流二极管 个 2

12 安全工作区测试续流二极管 个 3

13 被测器件旁路开关 个 1

14 工控机及操作系统 套 1

15 数据采集与处理单元 套 1

16 机柜及其面板 套 1

17 压接夹具及其配套系统 套 1

18 加热装置 套 1

19 其他辅件 套 1

产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率。