三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广； C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***） L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。

安全工作区测试负载电感

?电感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）

?瞬态电压 大于10kV

?负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。

5）补充充电回路限流电感

限制充电回路中的di/dt。

?电感量 100μH

?电流能力 6000A （5ms）

?瞬时耐压 10kV

?工作温度室温～40℃

?工作湿度 <70%

2.2反向***技术条件 测试参数： 1、Irr(反向***电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向***电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向***时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 测试条件： 1、正向电流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围：200～10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围：100～10000V/us

7质量保证要求 ?卖方应通过ISO 9001质量论证。 ?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。 ?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。 ?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。 ?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。 ?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。