产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0。

6）短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?回路耐压 DC10kV ?放电电流 10kA（5ms） ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 7）正常放电回路 用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。 ?回路耐压 10kV ?放电电流 50A ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 8）高压大功率开关 ?电流能力 2000A ?8环境要求 环境温度：15～35℃ 相对湿度：小于70% 大气压力：86Kpa～106Kpa 压缩空气：不小于0。隔离耐压 10kV ?响应时间 150ms ?脉冲电流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

9）尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11）动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12）安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0。-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?压降 小于1V ?浪涌电流 大于20kA ?反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%