1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括： 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能；半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。 2. 图形化操作界面；中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格； *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比； 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。C：脉冲宽度50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon：10W～250kW 关断时间测试条件： 1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;