IGBT测试装置技术要求 （1）设备功能 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。系统的测试原理符合相应的***标准，系统为***式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。

测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。 功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。 IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

Vce

集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～+30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

9）尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11）动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12）安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?压降 小于1V ?浪涌电流 大于20kA ?反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%