三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***） L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01～50mA 集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V；可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格。 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01～10μA 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；

?风冷系统；

?可显示主要电气回路参数及传感器测量值；

?可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；

?防护等级：IP40。

?面板按钮可以进行紧急操作

?机柜颜色：RAL7035

17）压接夹具及其配套系统

?工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下极板不平行度小于20μm

?极板平整度小于10μm

?压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲

?安全技术要求：满足GB 19517—2009***电气设备安全技术规范；

?测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）

18）其他辅件