华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V。 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB 13869-2008 用电安全导则 GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范 GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件 GB/T 2423 电工电子产品环境试验 GB/T 3797-2005 电气控制设备 GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用 GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则 GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制 GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

参数名称 符号 参数名称 符号

开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)

上升时间 tr 下降时间 tf

开通时间 ton 关断时间 toff

开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff

栅极电荷 Qg

短路电流 ISC / /

可测量的FRD动态参数

反向***电流 IRM 反向***电荷 Qrr

反向***时间 trr 反向***损耗 Erec

3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on）+tr

7质量保证要求 ?卖方应通过ISO 9001质量论证。 ?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。 ?数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。 ?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。 ?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。 ?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。