现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.2011年，我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间，进行了实际的展示与操作，厂方提供了许多元件来测试，其中一部份由于损毁严重，在一开始的功能与元件判别过程，即被判出局，而未进入实质的参数量测，也有全新的IGBT，量测结果完全合乎出厂规格。...等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；4验收和测试 1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

2.2反向***技术条件 测试参数： 1、Irr(反向***电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向***电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向***时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 测试条件： 1、正向电流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围：200～10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围：100～10000V/us

2.7测试夹具 1、控制方式：气动控制 2、控温范围：室温—150℃ 室温—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3% 3、电源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W 4、夹具能安装不同规格的适配器，以测试不同规格的器件，不同模块需要配备不同的适配器，设备出厂时配备62mm封装测试夹具、EconoPACK3封装测试夹具、34mm封装测试夹具各一套，但需甲方提供适配器对应器件的外形图；因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。 2.8环境要求 环境温度：15～35℃ 相对湿度：小于70% 大气压力：86Kpa～ 106Kpa 压缩空气：不小于0.4MPa 电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制 电网频率：50Hz±1Hz