检修用IGBT测试仪批发免费咨询「华科智源」
作者:华科智源2022/1/26 12:10:59

(3)设备的功能特点 1)各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。 2)具有大容量的数据采集能力。卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。测试数据直接进入控制电脑,这样使得采集数据的容量为无限大。 3)具有内置的软件,帮助提供自动判断。 4)具有方便的历史数据存储及检索功能。


?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;

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?优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。


3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES: 0.01~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~50mA±1%±0.1mA; 集电极电压VCES: 0-5000V±1.5%±2V; * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES: 50~500V±2%±1V; 500~5000V±1.5%±2V; 集电极电流ICES: 0.001~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~150mA±1%±0.1mA; * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001~10V 集电极电流ICE: 0-1600A 集电极电压VCEs: 0.001~10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge: 5~40V±1%±0.01V 集电极电流ICE: 0~100A±1%±1A; 100~1600A±2%±2A; * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01~10μA 栅极漏电流IGEs: 0.01~10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge: ±1V~40V±1%±0.1V; Vce=0V;3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求。 * 3.10 VF 正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf: 0.1~5V±1%±0.01V 电流IF: 0~100A±2%±1A; 100~1600A±1.5%±2A;


2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~+15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求


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