测试参数： ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A ***负载；

4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic, 电感值（自动计算脉宽）；

4.6 双电流脉冲的设置： Vcc, Ic, 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；

（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；

4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（***动态测试）。

IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1）阈值电压测试电路 阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路） ?满足表格9测试参数要求 ?同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比。低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路) ?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路 集射极截止电压/发射极截止电流测试电路 ?高压充电电源：10~2kV连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V