现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。..等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

2.7测试夹具 1、控制方式：气动控制 2、控温范围：室温—150℃ 室温—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3% 3、电源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W 4、夹具能安装不同规格的适配器，以测试不同规格的器件，不同模块需要配备不同的适配器，设备出厂时配备62mm封装测试夹具、EconoPACK3封装测试夹具、34mm封装测试夹具各一套，但需甲方提供适配器对应器件的外形图；01uA 集电极电压VCE： 0V 栅极电压Vge： 0-40V±3%±0。 2.8环境要求 环境温度：15～35℃ 相对湿度：小于70% 大气压力：86Kpa～ 106Kpa 压缩空气：不小于0.4MPa 电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制 电网频率：50Hz±1Hz

4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0。