测试参数： ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。

?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。

?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。

?用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。

?完全由计算机控制、快速的设定参数。

?适用于实验室和老化筛选的测试。

?操作非常简单、速度快。

?完全计算机自动判断、自动比对。

用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；

?风冷系统；

?可显示主要电气回路参数及传感器测量值；

?可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；

?防护等级：IP40。

?面板按钮可以进行紧急操作

?机柜颜色：RAL7035

17）压接夹具及其配套系统

?工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下极板不平行度小于20μm

?极板平整度小于10μm

?压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲

?安全技术要求：满足GB 19517—2009***电气设备安全技术规范；

?测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）

18）其他辅件

产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格。