1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括： 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能； 2. 图形化操作界面；集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格； *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比； 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A ***负载；

4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic, 电感值（自动计算脉宽）；

4.6 双电流脉冲的设置： Vcc, Ic, 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；

（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；

4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（***动态测试）。

14）工控机及操作系统

用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：

?机箱：4Μ 15槽上架式机箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL双核；

?主板：研华SIMB；

?硬盘：1TB；内存4G；

?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；

?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。

?西门子PLC逻辑控制

15）数据采集与处理单元

用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：

?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?状态监测：NI数据采集卡

?上位机：基于Labview人机界面

?数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展

2.2反向***技术条件 测试参数： 1、Irr(反向***电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向***电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向***时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 测试条件： 1、正向电流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围：200～10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围：100～10000V/us