现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..3半导体变流器变压器和电抗器 GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。..等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

如何执行导通参数与漏电流的量测？

?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。

大功率I g b t模块测试系统简介

我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：

☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。

☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；

?风冷系统；

?可显示主要电气回路参数及传感器测量值；

?可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；

?防护等级：IP40。

?面板按钮可以进行紧急操作

?机柜颜色：RAL7035

17）压接夹具及其配套系统

?工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下极板不平行度小于20μm

?极板平整度小于10μm

?压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲

?安全技术要求：满足GB 19517—2009***电气设备安全技术规范；

?测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）

18）其他辅件