华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。

深圳市华科智源科技有限公司，是一家***从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及***T首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A ***负载；

4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic, 电感值（自动计算脉宽）；

4.6 双电流脉冲的设置： Vcc, Ic, 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；

（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；

4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（***动态测试）。

2.4短路技术条件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路电流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度：40—1000uS可设定 5、测试频率：单次 2.6 NTC测试技术条件 阻值测量范围：0～20KΩ

13）被测器件旁路开关 被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。 ?电流能力 DC 50A ?隔离耐压 15kV ?响应时间 150ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 14）工控机及操作系统 用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下： ?机箱：4Μ 15槽上架式机箱；出厂调试结束、出厂前预验收完成后，卖方将为每个柜子量身定做包装柜，保证包装坚固，能适应中国境内公路、铁路运输，并兼顾设备在现场保存时间的要求。 ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL双核； ?主板：研华SIMB； ?硬盘：1TB；内存4G； ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器； ?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 ?西门子PLC逻辑控制