什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。

目的和用途 该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

静态及动态测试系统 技术规范 供货范围一览表 序号 名称 型号 单位 数量 1 半导体静态及动态测试系统 HUSTEC-2010 套 1 1范围 本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。

7质量保证要求 ?卖方应通过ISO 9001质量论证。 ?卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。 ?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 ?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。 ?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。 ?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。