封装用IGBT测试仪厂家***发货「华科智源」
作者:华科智源2021/11/25 7:08:42

技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1)功能

GBT模块动态参数测试。

*2)测试对象

被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标

测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。


8)高压大功率开关

?电流能力 200A

?隔离耐压 10kV

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20kA(不小于10ms)

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作温度 室温~40℃

?工作湿度 <70%

9)尖峰***电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

?电容容量 200μF

?分布电感 小于10nH

?脉冲电流 200A

?工作湿度 <70%


产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。01V IF: 0-1200A±2%±1A Vge: 0V。


4验收和测试 1)验收由双方共同参加,按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项,检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3。由卖方现场安装、测试,买方确认测试合格通过后完成验收。 2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作;负责免费培训并提供培训教材。培训后,应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试,并能解决实际工程问题。


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