?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；

?机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对

?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；

?水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新

?型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，

?以确保出厂产品的稳定性、可靠性。

?优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。

8）高压大功率开关

?电流能力 200A

?隔离耐压 10kV

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

9）尖峰***电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

?电容容量 200μF

?分布电感 小于10nH

?脉冲电流 200A

?工作湿度 <70%

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500V连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）。500～1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脉冲时间：40~100ms可设定

4验收和测试 3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。 4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。