华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率。自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

Vce

集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～+30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；