封装用IGBT测试仪厂家价格合理「多图」
作者:华科智源2021/11/16 17:44:34

(2)主要技术参数 1)基本参数 功率源: 5000V 1200A 2)栅极-发射极漏电流IGES IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA 集电极电压VCE: 0V 栅极电压Vge: 0-40V±3%±0.1V 3)集电极-发射极电压 集电极电压VCES: 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压Vge: 0V 4)集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat:0.2-5V 栅极电压Vge: ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE: 10-1200A±2%±1A 5)集电极-发射极截止电流ICES 集电极电压VCE: 100-5000V±3% 集电极电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压VGE: 0V 6)栅极-发射极阈值电压 VGEth: 1-10V±2%±0.1V Vce: 12V 集电极电流ICE: 30mA±3% 7)二极管压降测试 VF: 0-5V±2%±0.01V IF: 0-1200A±2%±1A Vge: 0V


3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1~10V VGE:0.1~10V±1%±0.01V; 解析度:0.01V 集电极电流Ic: 10~50mA±1%±0.5mA; 50~200mA±1%±1mA; 200~1000mA±1%±2mA;当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,必须即早发现更换。


6)短路保护放电回路 紧急情况下快速放电,保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?回路耐压 DC10kV ?放电电流 10kA(5ms) ?工作温度 室温~40℃; ?工作湿度 <70% 7)正常放电回路 用于设备正常关机时放电,使设备处于安全电位。 ?回路耐压 10kV ?放电电流 50A ?工作温度 室温~40℃; ?工作湿度 <70% 8)高压大功率开关 ?电流能力 2000A ?隔离耐压 10kV ?响应时间 150ms ?脉冲电流 20kA(不小于10ms) ?Eon、Eoff开通/关断能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0。工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70%


9)尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 11)动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 12)安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?C:脉冲宽度50uS~300uS D:Vce测量精度2mV E:Vce测量范围>。压降 小于1V ?浪涌电流 大于20kA ?反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70%


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