3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01～50mA 集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA；IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01～10μA 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

5、***负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；

6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5Ω；

用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；

?风冷系统；

?可显示主要电气回路参数及传感器测量值；

?可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；

?防护等级：IP40。

?面板按钮可以进行紧急操作

?机柜颜色：RAL7035

17）压接夹具及其配套系统

?工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下极板不平行度小于20μm

?极板平整度小于10μm

?压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲

?安全技术要求：满足GB 19517—2009***电气设备安全技术规范；

?测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）

18）其他辅件

9）尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11）动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12）安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?压降 小于1V ?半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。浪涌电流 大于20kA ?反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%