封装用IGBT测试仪批发在线咨询「多图」
作者:华科智源2021/11/16 11:04:52

8)高压大功率开关

?电流能力 200A

?隔离耐压 10kV

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20kA(不小于10ms)

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作温度 室温~40℃

?工作湿度 <70%

9)尖峰***电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

?电容容量 200μF

?分布电感 小于10nH

?脉冲电流 200A

?工作湿度 <70%


11)动态测试续流二极管

用于防止测试过程中的过电压。

?压降小于1V

?浪涌电流大于20kA

?反向***时间小于2μs

?工作湿度 <70%

12)安全工作区测试续流二极管

?浪涌电流 大于20kA

?反向***时间 小于2μS

?工作湿度 <70%

13)被测器件旁路开关

被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。

?电流能力 DC 50A

?隔离耐压 15kV

?工作湿度 <70%


2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~+15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求


其中:Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管) L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 关断时间采用单脉冲测试,由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,开关被测器件DUT一次,被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和,同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE,记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1)阈值电压测试电路 阈值电压测试电路(仅示出IEC标准测试电路) 。


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