3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；测量目的：对模块的电压降参数进行检测,可判断模块是否处于正常状态。 200～1000mA±1%±2mA；

为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？

当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。1V 3）集电极-发射极电压 集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES： 0。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。

8）高压大功率开关

?电流能力 200A

?隔离耐压 10kV

?响应时间 150ms

?脉冲电流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 气动控制

?工作气压 0.4MPa

?工作温度 室温～40℃

?工作湿度 <70%

9）尖峰***电容

用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。

?电容容量 200μF

?分布电感 小于10nH

?脉冲电流 200A

?工作湿度 <70%