华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0。

深圳市华科智源科技有限公司，是一家***从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及***T首件检测仪，MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，在线式检修用IGBT测试仪，变频器检修用IGBT测试仪，IGBT模块测试仪，轨道交通检修用IGBT测试仪，风力发电检修用IGBT测试仪。优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。

（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V 1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集电极电压VCE： 0V 栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集电极-发射极电压 集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压Vge： 0V 4）集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat：0.2-5V 栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集电极-发射极截止电流ICES 集电极电压VCE： 100-5000V±3% 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压VGE： 0V 6）栅极-发射极阈值电压 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集电极电流ICE： 30mA±3% 7）二极管压降测试 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。 200～1000mA±1%±2mA；

公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。公司装备精良，具有***的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其品质、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的***水平。 产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达***。可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。