3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3。 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？

当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。5系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。

技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1）功能

GBT模块动态参数测试。

*2）测试对象

被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标

测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

用于安装固定试验回路及单元；主要技术参数要求如下；

?风冷系统；

?可显示主要电气回路参数及传感器测量值；

?可直观监视试验过程，并可兼容高温摄像头；

?防护等级：IP40。

?面板按钮可以进行紧急操作

?机柜颜色：RAL7035

17）压接夹具及其配套系统

?工作压力范围：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下极板不平行度小于20μm

?极板平整度小于10μm

?压力可连续调节，施加压力平稳，不可出现加压时压力过冲

?安全技术要求：满足GB 19517—2009***电气设备安全技术规范；

?测试工作电压：10kV（整体设备满足GB 19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）

18）其他辅件