IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下:
?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益;
?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析,以确保出厂产品的合格率;
?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中:Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管) L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义(见下图):栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td (on) ,集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ,则ton= td (on)+tr
13)被测器件旁路开关 被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。 ?电流能力 DC 50A ?隔离耐压 15kV ?响应时间 150ms ?IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1)阈值电压测试电路 阈值电压测试电路(仅示出IEC标准测试电路) 。工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 14)工控机及操作系统 用于控制及数据处理,采用定制化系统,主要技术参数要求如下: ?机箱:4Μ 15槽上架式机箱; ?支持ATX母板; ?CPΜ:INTEL双核; ?主板:研华SIMB; ?硬盘:1TB;内存4G; ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器; ?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 ?西门子PLC逻辑控制
4验收和测试 3)验收试验应在-10~40℃环境温度下进行,验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。 4)测试单元发货到买方前,卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估,通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。卖方由于自身原因而延迟交货时,买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。否则,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。
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