IGBT测试装置技术要求 (1)设备功能 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。对其测试数据极为满意,解决了特大功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。系统的测试原理符合相应的***标准,系统为***式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试,在IGBT的检测中,采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
如何检测元件有老化的现象? 半导体元件有许多参数都很重要,有些参数如:放大倍率,触发参数,闩扣,保持参数,崩溃电压等,是提供给工程师在设计电路时的依据,在检测元件是否有老化的现象时,仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较,就可判定元件的好坏或退化的百分比。中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的,因其必须承受规格上的电压与电流,在某条件下,承受度的数据便称为此元件的参数。 何谓半导体元件的参数?对元件使用上有何重要性? 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的,因其必须承受规格上的电压与电流,在某条件下,承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据,元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
关断时间测试参数: 1、关断时间toff:5~2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off):5~2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf:5~2000ns±3%±3ns 4、关断能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon:10W~250kW 关断时间测试条件: 1、集电极电压Vce:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A;
9)尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?卖方由于自身原因而延迟交货时,买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 11)动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向***时间小于2μs ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 12)安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?压降 小于1V ?浪涌电流 大于20kA ?反向***时间 小于2μS ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70%
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