华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0。自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。

测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。安全技术要求：满足GB19517—2009***电气设备安全技术规范。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1）阈值电压测试电路 阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路） ?满足表格9测试参数要求 ?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路) ?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路 集射极截止电压/发射极截止电流测试电路 ?1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。高压充电电源：10~2kV连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V