轨道交通用IGBT测试仪价格厂家报价「多图」
作者:华科智源2021/11/12 5:09:00

测试参数多且完整、应用领域更广泛,但只要使用其基本的2项功能:「开启」电流压降,「关闭」电流的漏电流,就可知道大功半导体有没有老化的现象。

?可移动型仪器,使用方便,测试简单快速,立即提供测试结果与数值。

?适用的半导体元件种类多,尤其能测大功率元件。

?用户能确实掌握新采购元件的质量,避免用到瑕疵或品。

?完全由计算机控制、快速的设定参数。

?适用于实验室和老化筛选的测试。

?操作非常简单、速度快。

?完全计算机自动判断、自动比对。


主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

Vce

集射极电压 150~3300V 150~500V±3%±1V;

500~1000V±2%±2V;

1000~3300V±1%±5V; 150~3300V

Ic

集射极电流 1~200A 1~200A±3%±1A; 1~200A

Vge

栅极电压 -30V~30V -30~0V±1%±0.1V;

0~+30V±1%±0.1V -30V~30V

Qg

栅极电荷 400~20000nC Ig: 0~50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;

Eon、Eoff

开通/关断能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0.1mJ;

50~200mJ±2%±1mJ;

200~1000mJ±2%±2mJ;

1000~5000mJ±1%±5mJ;


静态及动态测试系统 技术规范 供货范围一览表 序号 名称 型号 单位 数量 1 半导体静态及动态测试系统 HUSTEC-2010 套 1 1范围 本技术规范提出的是限度的要求,并未对所有技术细节作出规定,也未充分引述有关标准和规范的条文,供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。1有完备的安全控制单元,动态测试设备有传感器来保证操作者安全,设备任何门被打开均能快速切断高压电源。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时,应按较高标准执行。


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