大功率半导体器件为何有老化的问题？

任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。

测试大功率元件应用范例说明？

2011年，我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间，进行了实际的展示与操作，厂方提供了许多元件来测试，其中一部份由于损毁严重，在一开始的功能与元件判别过程，即被判出局，而未进入实质的参数量测，也有全新的IGBT，量测结果完全合乎出厂规格.对其测试数据极为满意，解决了特大功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。

7、测量配置

7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速电流探头；

7.3 高压差分探头。

8、测试参数应包括

8.1 开通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 关断：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向*** (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；

8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500V连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。脉冲时间：40~100ms可设定