检修用IGBT测试仪加工厂家报价「多图」
作者:华科智源2021/11/11 18:59:23

什么是大功率半导体元件?其用途为何?

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。


?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;

?机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对

?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;

?水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新

?型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,

?以确保出厂产品的稳定性、可靠性。

?优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。


2.4短路技术条件 1、Vcc: 200~1000V 200~1000V±3%±2V 2、一次短路电流:20000A 500~1000A±3%±2A 1000A~5000A±2%±5A 5000A~20000A±2%±10A 3、tp:5-30us 2.5雪崩技术条件 1、Vce:50~500V±3%±5V 500~1000V±3%±5V 2、Ic:1A~50A 1A~9.9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度:40—1000uS可设定 5、测试频率:单次 2.6 NTC测试技术条件 阻值测量范围:0~20KΩ


开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。1)可调充电电压源用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。


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