封装用IGBT测试仪价格承诺守信 华科IGBT测试设备
作者:华科智源2021/11/10 14:38:33

5、***负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;

外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;

6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;

6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);

6.5 电压开关时间: < 50ns;

6.6 输出内阻: < 0.5Ω;


7、测量配置

7.1 示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;

7.2 高速电流探头;

7.3 高压差分探头。

8、测试参数应包括

8.1 开通:turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon );

8.2 关断:turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff);

8.3 反向*** (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);

8.4 栅电荷:采用恒流驱动,电流可调范围:0~100mA;

8.5 短路(1200Amax);

8.6 雪崩;

8.7 NTC(模块)测试:0-20KΩ;

8.8 主要测试参数精度偏差 :< 3 % 。


2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~+15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求


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