3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组 * 3.2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 VGE(th) 栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。

测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

表格12动态参数测试部分组成

序号 组成部分 单位 数量

1 可调充电电源 套 1

2 直流电容器 个 8

3 动态测试负载电感 套 1

4 安全工作区测试负载电感 套 1

5 补充充电回路限流电感L 个 1

6 短路保护放电回路 套 1

7 正常放电回路 套 1

8 高压大功率开关 个 5

9 尖峰***电容 个 1

10 主回路正向导通晶闸管 个 2

11 动态测试续流二极管 个 2

12 安全工作区测试续流二极管 个 3

13 被测器件旁路开关 个 1

14 工控机及操作系统 套 1

15 数据采集与处理单元 套 1

16 机柜及其面板 套 1

17 压接夹具及其配套系统 套 1

18 加热装置 套 1

19 其他辅件 套 1

公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。公司装备精良，具有***的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其品质、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的***水平。 产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达***。3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路 。